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LVDS信號(hào)發(fā)生器的信號(hào)有哪些特點(diǎn)呢?

  • 更新日期:2024-05-24      瀏覽次數(shù):1219
    • LVDS信號(hào)發(fā)生器是專針對電視液晶模組以及TCON板生產(chǎn)測試而研發(fā)的一款信號(hào)源,該信號(hào)源高可輸出16Lane V-by-One信號(hào)(3840*2160/120Hz)或4通道LVDS信號(hào)(1920*1080 120Hz),輸出接口帶有強(qiáng)大的保護(hù)功能,過壓、過流、欠壓及空載保護(hù),此信號(hào)發(fā)生器操作僅需3個(gè)按鍵,簡單易用。

      LVDS(低壓差分信號(hào))的常見特點(diǎn)如下:

      1.高數(shù)據(jù)率、低功耗

      在LVDS標(biāo)準(zhǔn)中理論極限速率為1.923Gb/s,恒流源模式、低擺幅輸出的工作模式?jīng)Q定著LVDS具有高速驅(qū)動(dòng)的能力。LVDS典型的開關(guān)電壓為350mV,使得在數(shù)據(jù)提高的同時(shí),功耗得以降低。

      信號(hào)發(fā)生器

       


      當(dāng)LVDS的功耗是恒定的,而CMOS收發(fā)器的動(dòng)態(tài)功耗是隨頻率變化而變化的。恒流源模式的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)降低了系統(tǒng)功耗,并極大降低了頻率的影響。當(dāng)速率較低時(shí),雖然CMOS的功耗比LVDS小,但是隨著頻率的提高,CMOS的功耗將逐漸增加,終需要消耗比LVDS更多的功耗。

      2.低電磁干擾

      電磁干擾有兩個(gè)來源即芯片內(nèi)部電荷的加速運(yùn)動(dòng)和芯片外線上的傳輸。芯片產(chǎn)生的電磁干擾取決于器件的頻率、輸出電壓擺動(dòng)和轉(zhuǎn)換的速率。由于LVDS標(biāo)準(zhǔn)的電壓擺動(dòng)低,而差分信號(hào)的極性相反,因此,對外輻射的電磁場可以互相抵消。耦合越緊密,泄放到外界的電磁能量就越少,有效地降低了EMI。一般來說,其產(chǎn)生的電磁干擾小于RS-422、PECL等I/O標(biāo)準(zhǔn)。

      3.端接匹配容易

      終端匹配只需要一只100Ω的電阻跨接在兩個(gè)差分線對上即可,其他的高速信號(hào)除了需要一個(gè)50Ω的終端電阻外,還需要1.5V的端接電壓Vtt,而SSTL1類連接方式始端需要串接一個(gè)25Ω的電阻,終端需要通過一個(gè)50Ω電阻接1.5V的Vtt。
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